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第二百三十九章 千金买马,几亿分红,被盗取的技术文档

    电子港。

    山海微电芯片研发中心。

    “吴哥,你说公司会给咱们什么奖励啊?这可是16纳米的工艺,湾积电也是刚刚才推出来。”

    谢盛东推了推身旁的同事,一脸激动道。

    二十多岁的年纪,眼神清澈,面孔稚嫩,完全看不出来,这是一位优秀杰出的材料学专家。

    “升职加薪呗,员工合同里不是写的清清楚楚吗?”

    吴茂哲抬眼看向谢盛东,恹恹回答道,全然一副提不起精神的模样。

    起初,吴茂哲刚进研发中心,面对愈发复杂精密的EDA软件、仿真工具、光刻技术和材料工程时,心中极为不适,充满着陌生感。

    甚至一度想直接放弃。

    只是每当想起母亲之际,他又咬着牙重新振作起来,选择自己最擅长的晶体管结构优化方向,整天埋头苦干,全身心投入到工作中。

    在对山海微电的技术文档梳理后,他敏锐发现,要想缩小芯片工艺的制程节点,就得突破四大技术难题:

    多重曝光和刻蚀技术!

    绝缘层和电极材料!

    多分支晶体管布局!

    三维集成电路技术!

    第一点,能使用专业的曝光机器、刻蚀设备代替;

    第二点、需要一位纳米材料学高手,熟知高介电常数材料的特性,并可以完美掌握合成和应用这些材料的技术;

    第三点、他决定从鳍状场效应晶体管结构入手,去提升电流控制能力、降低漏电流、加快开关速度,增强芯片的集成度和性能;

    第四点、山海微电原本就拥有成熟的三维封装技术(3DIC)!

    所以,只要能打破材料和晶体管结构的技术壁垒,就能在短时间内,进一步改进芯片工艺。

    事实证明,他赌对了!

    16纳米的工艺制程,沿着正确道路,被其轻松捣腾了出来,当年他在MVIDIA都没有取得过如此惊人的科研成果。

    当然,这一切离不开谢盛东的帮助,是他大胆采用硅酸盐作为绝缘层材料、多晶硅作为电极材料,大大提高了电子迁移率。

    配合三维晶体管结构设计,为芯片尺寸的缩小提供了可能性。

    “那你为啥绷着一张脸,升职加薪还不值得庆祝吗?”

    谢盛东疑惑道。

    “因为……算啦,你不懂。”

    吴茂哲欲言又止,对方并不知道,他之所以能进研发中心,全靠大老板的关系。

    “要是你能研发出10纳米的芯片工艺,我就把逸彬电子买下来送给你。”

    陈河宇这句话,深深烙在他的心底。

    想到这里,吴茂哲摇了摇头,随手打开羲和EDA,继续研究起晶体管的结构方案。

    他认为,鳍状场效应(FinFET)晶体管结构可以实现更好的电子控制和更小的漏电流,和传统的平面晶体管结构有极大不同,若是再进一步,或许就能把工艺制程缩小到14纳米,亦或是10纳米。

    谢盛东见状,微微一笑,同样开始专心工作。

    ……
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