米管如何制造出性能优秀的半导体开关同样重要。

    事实上，碳基芯片的难题并不仅仅只有碳基管道的排列。

    尽管它是最难的部分，但并不意味着就没有其他的难题了。

    比如碳是导体，具有导电性，无论是纯碳还是不纯的碳都能导电。

    而控制纳米碳材料无缺陷结构、转变成半导体，以及控制半导体纯度，这些同样就成为了极高的难题。

    准确的来说，碳在半导体的应用难度上，要比硅更大，缺点更多。

    事实上，不得不说的是硅材料是人类目前在芯片领域能找到的最好，或者说最合适的材料。

    碳的整体性能与适配性，以目前的科技来说，在芯片方面远远比不上硅材料。

    英特尔、应用材料、兰姆研究所、东晶电子.....等顶尖的半导体公司培养的人才并不是蠢货。

    不夸张的说，绝大部分的时候，无论是学术界也好，还是各大研究所也好，无论是拍脑袋想出来的点子、还是灵光一闪出现的思路，这些公司其实早在二三十年前就预研过了。

    然后会因为这种想法，或这个材料某个无法弥补的缺陷，亦或者过高的研究难度而果断的放弃了。

    对于芯片这种东西来说，其他性能说的再天花乱坠，一个关键指标不行就直接毙掉了。

    比如锗，就是例子。

    锗晶体存在着自应变，易于热漂移和冷漂移，使芯片的稳定性变差。

    这一点，就足够使得锗在硅出现后，被工业界直接大规模的放弃了。

    硅基芯片发展到现在的这个阶段，是工业界几十年以来无数次尝试研究妥协出来的最优解。

    至少是现阶段科技发展中的最优解。

    而在这方面，碳整体的性能和评价，的确是追不上硅的。

    当然，这并不代表着碳没有前途。

    相反，碳基芯片的前景远比硅基芯片更大。

    更高的集成度、更快的运算速度，不受量子效应的影响.......能耗低、散热低、高电子迁移率比硅基芯片更适合高频和超频运转等等。

    这些都是碳基芯片的优点。

    但它的制造难度大啊。

    相对比硅基芯片来说，碳基芯片的制造难度在目前的科技水平下，大的可不是一倍两倍。

    无论是碳纳米管的整齐稳定排序、还是碳半导体纯度的控制、亦或者是碳纳米管的提纯，都是极大的难题。

    所以相对比之下，技术要求更低的硅基芯片，无疑是当时研发主流的选择。

    当然，另一方面路径依赖也是个很重要的原因。

    这几十年来半导体技术，特别是集成电路制造技术都是基于硅基产品进行的。

    在这期间，整个世界已经投入了，并且还正在投入无数人力和资金进行技术提升。

    这种时候换赛道，除非有数十倍的优势，否则没人会愿意的。

    而碳基芯片虽然的确更加优秀，但老实说要达到数十倍硅基芯片的优势，并没有。

    所以碳在过>> --